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更换关并不容易,往往是牵一发而动全身。某一个支路关换了参数,代表着相应的电线(进出线的电线都要换)和主关都要更改。而关的额定电流越大,相应的宽度也就越大——原有的配电箱未必装得下。一般来说,原有的配电箱里的关参数能够满足绝大部分用户的用电需求,不需要——有关漏电保护器的问题,这里要强调一下:原配电箱里一定有漏电,也有空。用户在更换时,要看准了,原本是漏电的地方,更换后也必须是漏电;原本是空的地方,更换后也必须是空。三极管有三种工作状态,分别是放大、饱和、截止。使用 多的是工作在放大状态。NPN型三极管其两边各位一块N型半导体,中间为一块很薄的P型半导体。这三个区域分别为发射区、集电区和基区,从三极管的三个区各引出一个电极,相应的称为发射极(E)、集电极(C)和基极(B)。虽然发射区和集电区都是N型半导体,但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。另外在几何尺寸上,集电区的面积比发射区的面积要大。由此可见,发射区和集电区是不对称的。在汽车行业,厚膜电路一般用作发电机电压调节器、电子点火器和燃油系统。在计算机工业,厚膜电路一般用于集成存储器、数字单元、数据转换器、电源电路、打印装置中的热印字头等。在通讯设备中,厚膜混合集成压控振荡器、模块电源、精密网络、有源滤波器、衰减器、线路均衡器、旁音器、话音放大器、高频和中频放大器、接口阻抗变换器、用户接口电路、中继接口电路、二/四线转换器、自动增益控制器、光信号收发器、激光发生器、微波放大器、微波功率分配器、微波滤波器、宽带微波检波器等。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。
