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6/1KV②多芯绞合型分支电缆规格表示法:同一回 线电缆规格型号说明型号名称用途BX(BLX)BXF(BLXF)BXR铜(铝)芯橡皮绝缘线铜(铝)芯氯丁橡皮绝缘线铜芯橡皮绝缘软线V及以下的电气设备及照明装置之用注:B(B)——个字母表示布线,第二个字母表示玻璃丝编制。V(V)——个字母表示聚氯乙(塑料)绝缘,第二个字母表示聚氯乙护套。L(L)——铝,无L则表示铜F(F)——复合型R——软线S——双绞X——绝缘橡胶ZR——阻燃(阻燃等级分为ABC,A为,ZR在没有说明的情况通常表示C级。


L、C元件称为“惯性元件”,即电感中的电流、电容器两端的电压,都有一定的“电惯性”,不能突然变化。充放电时间,不光与L、C的容量有关,还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长?”,不讲电阻,就不能回答。RC电路的时间常数:τ=RC充电时,uc=U×[1-e(-t/τ)]U是电源电压放电时,uc=Uo×e(-t/τ)Uo是放电前电容上电压RL电路的时间常数:τ=L/RLC电路接直流,i=Io[1-e(-t/τ)]Io是 终稳定电流LC电路的短路,i=Io×e(-t/τ)]Io是短路前L中电流设V0为电容上的初始电压值;V1为电容 终可充到或放到的电压值;Vt为t时刻电容上的电压值。对平均输入功率P而言,1相激磁如为P,2相激磁为2P,1-2相激磁则为1.5P。速度-转矩特性与2相激磁比较,转矩变成70%左右。下图表示1-2相与2相激磁的频率-转矩特性比较。暂态特性在2相激磁时比1相激磁时稳定时间变小。上图表示的是1.8°步距角的56mm两相HB型步进电机半步进1-2相激磁与全步进2相激磁的速度-转矩特 m区间,1-2相激磁比2相激磁的转矩只不过低10%左右。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性,控制电路的导通和断来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFETRds(on)已经能够到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接,保护用场效应管会形成断路,防止电流烧毁电路中的场效应管元件,保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,电阻R1为MOS管电压偏置,利用MOS管的关特性控制电路的导通和断,从而防止电源反接给负载带来损坏。一个很重要的需要注意的一点是,高的分辨率并不代表高的精度。,两个同样精度的旋转编码器,一个分辨率是3600PPR,而另外一个是10000PPR。低分辨率的编码器(3600PPR)可以0.1°的测量距离,而高分辨率的编码器可以一个更小的测量距离,但是二者的精度是相同的,高分辨率编码器仅仅是具有将0.1°缩小到更小的增量距离的能力。编码器分辨率和精度是两个独立的概念,如上图所示,两个编码器具有相同的分辨率(24PPR)但是具有不同的精度。
